對于太陽能逆變器來說，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高載流能力、以電壓而非電流進行控制，并能使逆并聯二極管與IGBT配合。本文將介紹如果利用全橋逆變器拓撲及選用合適的IGBT，使太陽能應用的功耗降至最低?！　√柲苣孀兤魇且环N功率電子電路，能把太陽能電池板的直流電壓轉換為交流電壓來驅動家用電器、照明及電機工具等交流負載。如...

　　高壓IGBT的性能顯著提高?，F今最常用的IGBT技術是場截止IGBT(FS IGBT)技術，它結合了PT(穿通)和NPT(非穿通)IGBT結構的優點，同時克服了兩者的缺點。FS IGBT在導通狀態時提供較低的飽和壓降VCE(sat)，在關斷時刻提供較低的開關損失。但由于傳統的IGBT不含有固有體二極管，所以大多數開關應用通常將其與額外FRD封裝在一起。本文將介紹飛兆半...

　　在過去30多年中，諸如MOSFET和IGBT之類的CMOS替代產品在大多數電源設計中逐漸取代基于硅的BJT，但是今天，基于碳化硅的新技術為BJT賦予了新的意義，特別是在高壓應用中?！　√蓟璨季忠酝然蚋偷膿p耗實現更高的開關頻率，并且在相同形狀因數的情況下可產生更高的輸出功率。運用了SiC BJT的設計也將使用一個更小的電感，并且使成本顯著降低。雖然運用碳化硅工...

      高壓IGBT的性能顯著提高?，F今最常用的IGBT技術是場截止IGBT(FS IGBT)技術，它結合了PT(穿通)和NPT(非穿通)IGBT結構的優點，同時克服了兩者的缺點。FS IGBT在導通狀態時提供較低的飽和壓降VCE(sat)，在關斷時刻提供較低的開關損失。但由于傳統的IGBT不含有固有體二極管...

　　IGBT技術不能落后于應用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應用的需求。與目前逆變器設計應用功率或各自額定電流水平相關的開關速度和軟度要求是推動這些不同型號器件優化的主要動力。這些型號包括具備快速開關特性的T4芯片、具備軟開關特性的P4芯片和開關速度介于T4和P4之間的E4芯片?！　”?簡單介紹了IGBT的3個折衷點，并對相應的電流范圍給出了...